生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-92 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.82 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 25 V |
配置: | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE): | 8000 |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.75 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD894 | SANYO |
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General Driver Applications | |
2SD895 | SANYO |
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85V/6A, AF 35W Output Applications | |
2SD895 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD895D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 85V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-218VAR | |
2SD895E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 85V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-218VAR | |
2SD896 | SANYO |
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100V/7A, AF 40W Output Applications | |
2SD896 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD896 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD896D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR | |
2SD896E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR |