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2SD893Q PDF预览

2SD893Q

更新时间： 2024-01-31 03:03:53
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 179K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43A, 3 PIN

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2SD893Q 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：4000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD893Q 数据手册

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Transistor  
2SD893, 2SD893A  
Silicon NPN epitaxial planer type darlington  
Unit: mm  
4.0±0.2  
For low-frequency amplification  
5.0±0.2  
Features  
■
●
Forward current transfer ratio hFE is designed high, which ap-  
propriate to the driver circuit of motors and printer hammer: E  
= 4000 to 20000.  
●
A shunt resistor is omitted from the driver.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=2˚C)  
■
0.45–+00..12  
0.45–+00..12  
Parameter  
Symbol  
Rting
Unit  
1.27  
1.27  
Collector to  
2SD893  
2SD893A  
2SD893  
30  
VC
base voltage  
Collector to  
60  
1 2 3  
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
JEDEC:TO–92  
EIAJ:SC–43A  
25  
EO  
emitter voltage 2SD893A  
Emitter to base voltge  
Peak collctor cent  
Collector curnt  
50  
2.54±0.15  
VEO  
ICP  
IC  
5
5  
V
A
Internal Connection  
1
A
C
Collecor pwer diipation  
Junion tature  
orage rature  
PC  
5  
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
B
Tstg  
–55 ~ +150  
≈200Ω  
E
Electrical Characterisics (Ta=25˚C)  
■
eter  
Symbol  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
100  
Unit  
Co
2SD893  
VCB = 25V, IE = 0  
ICBO  
nA  
nA  
V
current  
2SD893A  
VCB = 45VIE = 0  
VEB = 4V, IC = 0  
Emitter cutocurrent  
Collector to base  
voltage  
IEBO  
2SD893  
30  
60  
VCBO  
IC = 100µA, IB = 0  
2SD893A  
2SD893  
Collector to emitter  
voltage  
25  
VCEO  
VEBO  
IC = 1mA, IB = 0  
V
V
2SD893A  
50  
Emitter to base voltage  
IE = 100µA, IC = 0  
5
*1  
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 10V, IC = 1A*2  
4000  
20000  
1.8  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 1A, IB = 1mA  
V
V
IC = 1A, IB = 1mA  
2.2  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
150  
MHz  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE  
Rank  
hFE  
Q
R
4000 ~ 10000 8000 ~ 20000  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD893R PANASONIC

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