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2SD788CTZ-E

更新时间: 2024-02-15 12:29:30
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 162K
描述
Silicon NPN Epitaxial

2SD788CTZ-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD788CTZ-E 数据手册

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2SD788  
Collector Output Capacitance vs.  
Collector to Base Voltage  
1,000  
f = 1 MHz  
IE = 0  
300  
100  
30  
10  
0.1  
0.3  
1.0  
3
10  
Collector to Base Voltage VCB (V)  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 4 of 5  

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