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2SD788TZ

更新时间: 2024-02-05 20:48:33
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日立 - HITACHI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

2SD788TZ 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.61最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON

2SD788TZ 数据手册

  

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