2SD788CTZ-E

更新时间： 2024-02-25 18:18:40

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	162K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SD788CTZ-E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD788CTZ-E 数据手册

2SD788

Main Characteristics

Typical Output Characteristics

Maximum Collector Dissipation Curve

100

1.2

0.8

0.4

0.15

0.05 mA

I_B= 0

100

150

Ambient Temperature Ta (°C)

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

1,000

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

300

100

V_CE= 2 V

Ta = 75°C

5 mA

Ð25

I_B= 0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Base to Emitter Voltage V_BE(V)

DC Current Transfer Ratio vs.

Collector Current

Saturation Voltage vs. Collector Current

3.0

10,000

Pulse

V_CE= 2 V

V_BE(sat)

1.0

3,000

1,000

Ta = 75°C

0.3

0.1

I_C= 10 I_B

300

100

–25

0.03

0.01

V_CE(sat)

0.003

100 300 1,000

100 300 1,000 3,000

Collector Current I_C(mA)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD788D	RENESAS	获取价格	2000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
2SD788-D	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD788-D	HITACHI	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD788DTZ	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SD788DTZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SD788DTZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD788E	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN, TO-92MOD, 3 PIN
2SD788E	RENESAS	获取价格	2000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92MOD, 3 PIN
2SD788-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
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