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2SD773

更新时间: 2024-10-01 21:55:31
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 169K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2SD773 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.87最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:16 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):110 MHzBase Number Matches:1

2SD773 数据手册

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