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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.87 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 95 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD774-L2-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD774U4 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SD774-U4 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD774-U4-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD774U5 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SD774-U5-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD777 | TOSHIBA |
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SILICON NPN DOUBLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
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| 2SD780 | TYSEMI |
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Micro package. High DC current gain. hFE: 200TYP.(VCE=1.0V,IC=50mA). |
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| 2SD780 | RENESAS |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents |
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| 2SD780 | NEC |
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AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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