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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD774-L2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD774-L2-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD774U4 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SD774-U4 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD774-U4-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD774U5 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SD774-U5-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD777 | TOSHIBA |
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SILICON NPN DOUBLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
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| 2SD780 | TYSEMI |
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Micro package. High DC current gain. hFE: 200TYP.(VCE=1.0V,IC=50mA). |
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| 2SD780 | RENESAS |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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