5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92L |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 70 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10000 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1932 | ROHM |
获取价格 |
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE |
|
| 2SD1932 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
|
| 2SD1932C7 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SD1932C7K | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SD1932K | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SD1933 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD1933 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD1933 | ROHM |
获取价格 |
Power Transistor (-80V, -4A) |
|
| 2SD1933K | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SD1934 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
