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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.35 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 950 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1816TTP-FA | ONSEMI |
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暂无描述 |
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| 2SD1816-X-TM3-F-T | UTC |
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HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS |
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| 2SD1816-X-TN3-F-K | UTC |
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HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS |
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| 2SD1816-X-TN3-F-R | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHIG APPLICATIONS |
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| 2SD1817 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SD1817 | KEXIN |
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NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor |
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| 2SD1817 | TYSEMI |
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High DC current gain. Collector-base voltage VCBO 80 V |
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| 2SD1817(TP) | ONSEMI |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-251VAR |
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| 2SD1817(TP-FA) | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR |
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| 2SD1817TP | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PIN |
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