2SD1750AH

更新时间： 2024-10-15 13:04:23

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
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2页	67K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SD1750AH 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

2SD1750AH 数据手册

Power Transistors

2SD1750, 2SD1750A

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

Unit: mm

For midium speed power switching

7.0±0.3

3.0±0.2

3.5±0.2

Complementary to 2SB1180 and 2SB1180A

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

1.1±0.1

0.85±0.1

0.4±0.1

0.75±0.1

●

High-speed switching

●

I type package enabling direct soldering of the radiating fin to

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.3±0.2

4.6±0.4

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

I Type Package

Collector to

2SD1750

2SD1750A

2SD1750

V_CBO

Unit: mm

7.0±0.3

3.5±0.2

base voltage

Collector to

2.0±0.2

3.0±0.2

0 to 0.15

V_CEO

emitter voltage 2SD1750A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

2.5

I_C

0.75±0.1

0.5 max.

0.9±0.1

1.1±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.15

P_C

dissipation

Ta=25°C

1.3

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

2.3±0.2

T_stg

–55 to +150

4.6±0.4

I Type Package (Y)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

Collector cutoff

2SD1750

V_CB= 60V, I_E= 0

current

2SD1750A

V_CB= 80V, I_E= 0

V_EB= 7V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

Collector to emitter 2SD1750

voltage 2SD1750A

V_CEO

I_C= 30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= 3V, I_C= 4A

2000

500

10000

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= 3V, I_C= 8A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 4V, I_B= 8mA

1.5

I_C= 4V, I_B= 8mA

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

0.5

MHz

µs

I_C= 4A, I_B1= 8mA, I_B2= –8mA

µs

^*h_FE1Rank classification

Internal Connection

Rank

h_FE1

2000 to 5000 4000 to 10000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1750AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-221VAR
2SD1750AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-221VAR
2SD1750AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-221VAR
2SD1750ATX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1750H	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1750P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1750Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1750R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-221VAR
2SD1750TX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1751	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)

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