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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD1752AH
2SD1752AH PDF预览

2SD1752AH

更新时间： 2024-10-15 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SD1752AH 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

2SD1752AH 数据手册

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Power Transistors  
2SD1752, 2SD1752A  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For power amplification and low-voltage switching  
Complementary to 2SB1148 and 2SB1148A  
Unit: mm  
7.0±0.3  
3.0±0.2  
3.5±0.2  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
●
High-speed switching  
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
1.1±0.1  
0.85±0.1  
0.4±0.1  
●
0.75±0.1  
●
Large collector current IC  
●
I type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
2.3±0.2  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
4.6±0.4  
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
I Type Package  
Collector to  
2SD1752  
2SD1752A  
2SD1752  
40  
Unit: mm  
VCBO  
V
7.0±0.3  
3.5±0.2  
base voltage  
Collector to  
50  
2.0±0.2  
3.0±0.2  
0 to 0.15  
20  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD1752A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
40  
VEBO  
ICP  
5
V
A
A
20  
2.5  
IC  
10  
15  
0.75±0.1  
0.5 max.  
0.9±0.1  
1.1±0.1  
0 to 0.15  
Collector power TC=25°C  
PC  
W
1
2
3
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
I Type Package (Y)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
2.3±0.2  
4.6±0.4  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
50  
Unit  
µA  
µA  
V
2SD1752  
VCB = 40V, IE = 0  
VCB = 50V, IE = 0  
EB = 5V, IC = 0  
current  
2SD1752A  
50  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
V
50  
Collector to emitter 2SD1752  
voltage 2SD1752A  
20  
40  
45  
90  
IC = 10mA, IB = 0  
VCE = 2V, IC = 0.1A  
VCE = 2V, IC = 3A  
IC = 10A, IB = 0.33A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
260  
0.6  
1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
I
C = 10A, IB = 0.33A  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 10MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
120  
200  
0.3  
0.4  
0.1  
MHz  
pF  
µs  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
IC = 3A, IB1 = 0.1A, IB2 = – 0.1A,  
VCC = 20V  
Storage time  
µs  
Fall time  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
1
123

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与2SD1752AH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1752AP PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1752AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SD1752AR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SD1752H PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1752P ETC

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2SD1752TX PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1753 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current
2SD1753 ROHM

获取价格

 		TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE

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