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2SD1752AP

更新时间： 2024-10-15 20:31:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 248K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, I-G1, 3 PIN

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2SD1752AP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：130
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SD1752AP 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Power Transistors  
2SD1752, 2SD1752A  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For power amplification and low-voltage switching  
Complementary to 2SB1148 and 2SB1148A  
Unit : mm  
7.0 0.3  
3.5 0.2  
0˚ to 0.15˚  
3.0 0.2  
2.0 0.2  
■ Features  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• High-speed switching  
•
Satisfactory liniarity of forward current transfer ratio hFE  
• Large collector current IC  
• I type package enabling direct soldering of the radiatng fin to the  
printed circuit board, etc. of small electronic equipmnt  
.1 0.1  
0.75 0.1 0.4 0.1  
0.9 0.1  
0˚ to 0.15˚  
2.3 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
4.6 0.4  
2
Parameter  
Symbol  
Unit  
1
3
2SD1752  
2SD1752A  
2SD
2SA  
VCBO  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
50  
VCE
20  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
0  
I-G1 Package  
Emitter-base voltage (Clctor oen) VEBO  
5
A
Note) Self-supported type package is also prepared.  
Collector current  
IC  
ICP  
Peak collector curent  
Collector power disipation  
20  
15  
A
W
Ta = 25°C  
1.3  
Juncion teeratur
Storage ature  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +50  
■ Elctrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parmeter  
Symbl  
Conditions  
Min  
20  
Typ  
Max  
Unit  
2SD1752  
2SD1752A  
2SD1752  
2SD1752A  
VCEO  
IC = 10 mA, IB = 0  
V
Coller voltge  
(B
40  
ICBO  
VCB = 40 V, IE = 0  
VCB = 50 V, IE = 0  
VEB = 5 V, IC = 0  
50  
50  
50  
µA  
Colleff  
current (open)  
Emitter-base cutoff current (Cctor open)  
Forward current transferatio  
IEBO  
hFE1  
µA  
VCE = 2 V, IC = 0.1 A  
VCE = 2 V, IC = 3 A  
45  
90  
*
hFE2  
260  
0.6  
1.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Forward current transfer ratio  
VCE(sat) IC = 10 A, IB = 0.33 A  
VBE(sat) IC = 10 A, IB = 0.33 A  
V
V
fT  
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 10 MHz  
120  
200  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
(Common base, input open circuited)  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
ton  
tstg  
tf  
0.3  
0.4  
0.1  
µs  
µs  
µs  
IC = 3 A, IB1 = 0.1 A, IB2 = − 0.1 A  
VCC = 20 V  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE2  
90 to 180  
130 to 260  
Publication date: September 2003  
SJD00224BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1752AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SD1752AR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SD1752H PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1752P ETC

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2SD1753 PANASONIC

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 		Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification with high forward current
2SD1753 ROHM

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 		TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE
2SD1753H PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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