2SD1749A

更新时间： 2024-10-14 22:52:47

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Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For low-freauency power amplification)

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2SD1749A 数据手册

Power Transistors

2SD1749, 2SD1749A

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

For low-freauency power amplification

Unit: mm

7.0±0.3

3.0±0.2

3.5±0.2

Complementary to 2SB1179 and 2SB1179A

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

1.1±0.1

0.85±0.1

0.4±0.1

●

High-speed switching

I type package enabling direct soldering of the radiating fin to

0.75±0.1

●

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.3±0.2

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

4.6±0.4

1:Base

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

2:Collector

3:Emitter

I Type Package

Collector to

2SD1749

2SD1749A

2SD1749

V_CBO

base voltage

Collector to

Unit: mm

7.0±0.3

3.5±0.2

2.0±0.2

3.0±0.2

0 to 0.15

V_CEO

emitter voltage 2SD1749A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

2.5

Collector power T_C=25°C

0.75±0.1

0.5 max.

0.9±0.1

P_C

1.1±0.1

0 to 0.15

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I Type Package (Y)

T_stg

–55 to +150

2.3±0.2

4.6±0.4

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

200

500

Unit

2SD1749

2SD1749A

2SD1749

2SD1749A

V_CB= 60V, I_E= 0

µA

current

V_CB= 80V, I_E= 0

V_CE= 30V, I_B= 0

V_CE= 40V, I_B= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

µA

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SD1749

voltage 2SD1749A

I_C= 30mA, I_B= 0

V_CE= 3V, I_C= 0.5A

1000

2000

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

_CE= 3V, I_C= 3A

10000

V_BE

V_CE= 3V, I_C= 3A

I_C= 3A, I_B= 12mA

2.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

_C= 5A, I_B= 20mA

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.5A, f = 1MHz

0.5

MHz

µs

I_C= 3A, I_B1= 12mA, I_B2= –12mA,

V_CC= 50V

µs

^*h_FE2Rank classification

Internal Connection

Rank

h_FE2

2000 to 5000 4000 to 10000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1749AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-221VAR
2SD1749AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-221VAR
2SD1749AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-221VAR
2SD1749ATX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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2SD1750/2SD1750A	ETC	获取价格	2SD1750. 2SD1750A - NPN Transistor Darlington
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