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2SD1616AK

更新时间： 2024-01-25 08:12:22

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	119K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92

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2SD1616AK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SC-43B, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1616AK 数据手册

Ordering number:1784B

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

2SB1118/2SD1618

Low-Voltage High-Current Amplifier,

Muting Applications

Features

Package Dimensions

unit:mm

· Low collector-to-emitter saturation voltage.

· Very small size making it easy to provide high-

density, small-sized hybrid IC’s.

2038

[2SB1118/2SD1618]

E : Emitter

C : Collector

B : Base

( ) : 2SB1118

SANYO : PCP

(Bottom view)

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Collector-to-Base Voltage

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

(–)20

(–)15

(–)5

CBO

Collector-to-Emitter Voltage

Emitter-to-Base Voltage

Collector Current

CEO

EBO

(–)0.7

(–)1.5

500

Collector Current (Pulse)

Collector Dissipation

˚C

Mounted on ceramic board (250mm²×0.8mm)

1.3

Junction Temperature

Storage Temperature

150

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

Collector Cutoff Current

=(–)15V, I =0

(–)0.1

560*

µA

CBO

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

=(–)4V, I =0

EBO

=(–)2V, I =(–)50mA

=(–)2V, I =(–)500mA

=(–)10V, I =(–)50mA

140*

Gain-Bandwidth Product

250

MHz

* ; The 2SB1118/2SD1618 are classified by 50mA h as follows :

Marking 2SB1118 : BA

2SD1618 : DA

rank : S, T, U

140

280

200

400

280

560

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

92098HA (KT)/4017KI/0216AT/2065MY, TS No.1784–1/3

12 3

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与2SD1616AK相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1616A-K	WEITRON	Small Signal Bipolar Transistor	获取价格
2SD1616AK-G	WEITRON	Transistor	获取价格
2SD1616AK-T	RENESAS	2SD1616AK-T	获取价格
2SD1616AL	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92	获取价格
2SD1616A-L-AB3-B	UTC	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	获取价格
2SD1616A-L-AB3-K	UTC	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	获取价格

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