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2SD1616AL-G

更新时间： 2024-11-10 07:20:27

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Transistor

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2SD1616AL-G 数据手册

2SD1616

2SD1616A

NPN Transistors

* “G” Lead(Pb)-Free

TO-92

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25 C)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

2SD16116

2SD1616A

Unit

Vdc

Adc

120

CEO

CBO

6.0

1.0

EBO

0.75

150

Total Device Dissipation T =25 C

Junction Temperature

Storage,Temperature

-55 to +150

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

Unit

2SD1616

2SD1616A

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I = 2.0 mAdc, I =0)

Vdc

(BR)CEO

2SD1616

2SD1616A

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (I = 10 uAdc, I =0)

(BR)CBO

120

Emitter-Base Breakdown Voltage (I = 10 uAdc, I =0)

(BR)EBO

6.0

uAdc

0.1

Collector Cutoff Current (V =60 Vdc, I =0)

CBO

Emitter Cutoff Current (V = 6.0 V c, I =0)

EBO

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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