5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.02 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1616AL-G-T92-K | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-G-T92-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-G-T92-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-G-T9S-B | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-G-T9S-K | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-G-T9S-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-G-T9S-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-L-AB3-B | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-L-AB3-K | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SD1616AL-L-AB3-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
