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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.03 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1616AL-L-T92-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616AL-L-T92-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616AL-L-T9S-B | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616AL-L-T9S-K | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616AL-L-T9S-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616AL-L-T9S-T | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616AL-T | RENESAS |
获取价格 |
2SD1616AL-T |
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| 2SD1616A-L-T92-B | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616A-L-T92-K | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1616A-L-T92-R | UTC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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