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2SD1611

更新时间： 2024-10-13 22:52:47
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)

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2SD1611 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

2SD1611 数据手册

 浏览型号2SD1611的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SD1611  
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
For power amplification  
1.0±0.1  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
High collector to base voltage VCBO  
■
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
●
0.8±0.1  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
2.54±0.3  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
5.08±0.5  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
N Type Package  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Unit: mm  
3.4±0.3  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
500  
400  
V
5
V
10  
A
IC  
6
40  
A
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
Collector power TC=25°C  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
1.1 max.  
PC  
W
5.08±0.5  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
VCB = 350V, IE = 0  
100  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCEO(sus)  
VEBO  
hFE  
IC = 2A, L = 10mH  
IE = 0.1A, IC = 0  
400  
5
V
Forward current transfer ratio  
VCE = 2V, IC = 2A  
IC = 3A, IB = 0.06A  
500  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
1.5  
2.5  
V
V
I
C = 3A, IB = 0.06A  
Transition frequency  
fT  
VCE = 10V, IC = 1A, f = 1MHz  
15  
MHz  
C
E
Internal Connection  
B
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1611H PANASONIC

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