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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1226MQC2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATR, 3 |
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| 2SD1226MR | ROHM |
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700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1227M | ROHM |
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Medium Power Transistor 32V, 2A |
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| 2SD1227M/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1227M/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1227M/Q | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD1227M/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1227MC2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1227MC2/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD1227MC2/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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