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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1227M
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2SD1227M

更新时间： 2024-09-14 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 126K
描述
Medium Power Transistor 32V, 2A

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2SD1227M 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SD1227M 数据手册

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Transistors  
Medium Power Transistor (32V, 2A)  
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /  
2SD1919 / 2SD1227M  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = 0.5V (Typ.)  
(IC / IB = 2A / 0.2A)  
2) Complements the  
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /  
2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 /  
2SB911M  
FStructure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
(96-217-B24)  
256  
1234

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2SD1227M 替代型号

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