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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1033L-E1-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,150V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252VAR |
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| 2SD1033L-E2 | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MP-3, 3 |
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| 2SD1033M | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1033M-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SD1033M-E1 | RENESAS |
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2000mA, 150V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN |
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| 2SD1033M-E2 | RENESAS |
获取价格 |
2000mA, 150V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN |
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| 2SD1033M-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,150V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252VAR |
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| 2SD1033-S-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SD1033-S-AZ |
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| 2SD1033-T1K | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, |
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| 2SD1033-T1L | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, |
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