5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1007 | TYSEMI |
获取价格 |
High collector to emitter voltage: VCEO 120V.Collector-base voltage VCBO 120 V |
|
| 2SD1007 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
|
| 2SD1007 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
|
| 2SD1007 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-89 |
|
| 2SD1007_15 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
|
| 2SD1007-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SD1007-HF_15 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
|
| 2SD1007-HK | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
| 2SD1007-HL | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SD1007-HM | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
