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2SD1005-V-TP-HF PDF预览

2SD1005-V-TP-HF

更新时间： 2024-10-14 21:07:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 281K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SD1005-V-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

2SD1005-V-TP-HF 数据手册

 浏览型号2SD1005-V-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SD1005-W  
2SD1005-V  
2SD1005-U  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Excellent DC Current Gain Linearity  
High Breakdown Voltage  
•
•
NPN Silicon  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Power Transistors  
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·
·
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Maximum Ratings  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
SOT-89  
ꢀ
Symbol  
VCBO  
Rating  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Value  
100  
80  
Unit  
V
V
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
VCEO  
VEBO  
ꢀ
ꢀ
A
B
5.0  
V
K
ꢀ
ꢀ
IC  
Collector Current,  
1.0  
A
ꢀ
ꢀ
PC  
Collector Power Dissipation  
0.5  
W
oC/W  
ꢀ
ꢀ
R
thJA  
ThermalResistanceFromJunctionToAmbient  
250  
ꢀ
ꢀ
E
TJ  
TSTG  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
OC  
ꢀ
ꢀ
C
OC  
ꢀ
ꢀ
D
ꢀ
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
ꢀ
ꢀ
G
H
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
J
ꢀ
ꢀ
F
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
ꢀ
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc,IB=0)  
Collector-Base Breakdow n Voltage  
(IC=0.1mAdc,IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=0.1mAdc,IC=0,)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=100Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
80  
100  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1. OUT  
2. GND  
3. IN  
ꢀ
ꢀ
---  
Vdc  
1
2
3
ꢀ
ꢀ
0.1  
0.1  
400  
uAdc  
uAdc  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
---  
(VEB=5.0Vdc, I C=0)  
DC Current Transfer Ratio  
(VCE=2.0Vdc, I C=0.1Adc)  
(VCE=2.0Vdc, I C=0.5Adc)  
90  
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1.55  
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25  
---  
---  
---  
ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I /IB=500mA/50mA)  
C
---  
0.5  
Vdc  
Vdc  
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
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ꢆ
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I /IB=500mA/50mA)  
C
---  
---  
1.5  
ꢆ
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ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Transition Frequency  
---  
---  
160  
---  
---  
MHz  
pF  
(VCE=5Vdc, IC=10mAdc)  
 ꢆ  
C
ob  
Output Capacitance  
12  
(VCB=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
E
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
W
90-180  
BW  
V
U
135-270  
200-400  
BV  
BU  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2013/07/05  
12

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