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2SD0601AR

更新时间： 2024-02-12 21:56:28
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346

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2SD0601AR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：290
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SD0601AR 数据手册

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Transistor  
2SD0601A (2SD601A)  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB0709A (2SB709A)  
2.8 +–00..32  
0.65 0.15  
1.5 –+00..0255  
0.65 0.15  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
I
G
.
G
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
1
2
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
60  
50  
V
7
V
200  
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
JEDEC:TO–236  
EIAJ:SC–59  
Mini Type Package  
2:Emitter  
3:Collector  
IC  
100  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
200  
Marking symbol : Z  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
0.1  
Unit  
µA  
µA  
V
VCB = 20V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 10V, IB = 0  
100  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 10µA, IE = 0  
60  
50  
7
IC = 2mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
V
*
hFE1  
VCE = 10V, IC = 2mA  
160  
90  
460  
0.3  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
VCE = 2V, IC = 100mA  
IC = 100mA, IB = 10mA  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.1  
V
Transition frequency  
fT  
150  
MHz  
Noise voltage  
NV  
Cob  
110  
3.5  
mV  
pF  
Collector output capacitance  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
160 ~ 260  
ZQ  
210 ~ 340  
ZR  
290 ~ 460  
ZS  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows  
conventional part number.  
Marking Symbol  
1
123

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SD0601AS ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346

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2SD0602 PANASONIC Silicon NPN epitaxial planer type

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