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2SD0592AR

更新时间： 2024-02-04 03:27:51
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其他 - ETC 晶体晶体管放大器
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4页 72K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226

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2SD0592AR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.6Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：170
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.75 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SD0592AR 数据手册

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Transistor  
2SD0592, 2SD0592A (2SD592, 2SD592A)  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SB0621 (2SB621) and 2SB0621A (2SB621A)  
5.0 0.2  
4.0 0.2  
Features  
I
G
Large collector power dissipation PC.  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
G
.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SD0592  
2SD0592A  
2SD0592  
30  
VCBO  
V
0.45–+00..12  
0.45+–00..12  
base voltage  
Collector to  
60  
1.27  
1.27  
25  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD0592A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
VEBO  
ICP  
IC  
5
V
A
1 2 3  
1:Emitter  
2:Collector  
3:Base  
JEDEC:TO–92  
EIAJ:SC–43A  
1.5  
1
2.54 0.15  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
750  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
VCB = 20V, IE = 0  
0.1  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SD0592  
2SD0592A  
30  
60  
25  
50  
5
VCBO  
IC = 10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter 2SD0592  
VCEO  
VEBO  
IC = 2mA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SD0592A  
Emitter to base voltage  
IE = 10µA, IC = 0  
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = 10V, IC = 500mA*2  
85  
50  
160  
340  
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 1A*2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 500mA, IB = 50mA*2  
IC = 500mA, IB = 50mA*2  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
0.2  
0.85  
200  
0.4  
1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
20  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
FE1  
Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
85 ~ 170  
120 ~ 240  
170 ~ 340  
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.  
1
1234

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