Datasheet > 2SCR567F3

2SCR567F3

更新时间： 2024-11-22 11:08:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1548K
描述
2SCR567F3是低VCE(sat)的中功率晶体管，适合低频放大用途。采用热导率、导电率优异的无引线小型表面安装封装HUML2020L3(DFN2020-3S)。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SCR567F3 数据手册

2SCR567F3

NPN 2.5A 120V Middle Power Transistor

Datasheet

llOutline

DFN2020-3S

Parameter

Value

120V

2.5A

CEO

HUML2020L3

llFeatures

1) Suitable for Middle Power Driver.

2) Low V

llInner circuit

CE(sat)

V =200mV(Max.).

CE(sat)

(I /I =800mA/80mA)

C B

3) High collector current.

I =2.5A(max),I =5A(max)

4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)

Excellent thermal and electrical conductivity.

llApplication

LOW FREQUENCYAMPLIFIER

llPackaging specifications

Taping

code

Reel size Tape width Quantity

Part No.

Package

Marking

(mm)

(pcs)

DFN2020-3S

(HUML2020L3)

2SCR567F3

180

3000

www.rohm.com

1/6

20200731 - Rev.002

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与2SCR567F3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SCR572D3	ROHM	获取价格	2SCR572D3是低VCE(sat)的功率晶体管。适合低频放大用途。
2SCR572D3FRA	ROHM	获取价格	低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。
2SCR573D3	ROHM	获取价格	2SCR573D3是低VCE(sat)的功率晶体管。适合低频放大用途。
2SCR573D3FRA	ROHM	获取价格	低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。
2SCR574D	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SCR574D_18	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SCR574D3	ROHM	获取价格	2SCR574D3是低VCE(sat)的功率晶体管。适合低频放大用途。
2SCR574D3FRA	ROHM	获取价格	低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。
2SCR582D3	ROHM	获取价格	低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。
2SCR582D3FRA	ROHM	获取价格	2SCR582D3FRA is a power transistor with Low V_CE(sat), suitable for low frequenc