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2SCR574D_18

更新时间： 2024-11-25 01:23:51

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无锡固电 - ISC		/
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SCR574D_18 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor

2SCR574D

DESCRIPTION

·With TO-252(DPAK) packaging

·Excellent linearity of h_FE

·Low V_CE(sat): 300mv(max)

·Fast switching speed

·Complementary to 2SAR574D

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Relay drivers, high-speed inverters , converters and

Other general high current switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

0.5

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_D

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc website：www.iscsemi.com

isc & iscsemi is registered trademark

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