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2SC5716

更新时间： 2024-09-22 22:40:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 140K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type

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2SC5716 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, 2-16E3A, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：700 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：3.8JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

2SC5716 数据手册

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2SC5716  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type  
2SC5716  
Horizontal Deflection Output for High Resolution Display,  
Unit: mm  
Color TV  
·
·
·
High voltage: V  
= 1700 V  
CBO  
High speed: t (2) = 0.2 µs (typ.)  
f
Collector metal (fin) is fully covered with mold resin.  
Maximum Ratings (Tc = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
1700  
V
V
V
700  
5
DC  
Collector current  
Pulse  
I
8
16  
C
A
I
CP  
Base current  
I
4
A
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
55  
W
°C  
°C  
C
T
150  
-55~150  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
stg  
TOSHIBA  
2-16E3A  
Equivalent Circuit  
2. Collector  
3. Emitter  
Weight: 5.5 g (typ.)  
1. Base  
40 W (typ.)  
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= 1700 V, I = 0  
¾
83  
5
¾
¾
1
250  
¾
20  
9
mA  
mA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) EBO  
Emitter-base breakdown voltage  
V
I
= 400 mA, I = 0  
¾
E
B
h
FE  
h
FE  
(1)  
(2)  
V
V
= 5 V, I = 1 A  
6
¾
CE  
CE  
C
DC current gain  
¾
= 5 V, I = 6 A  
3.8  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
¾
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Forward voltage (damper diode)  
Transition frequency  
V
I
I
I
= 6 A, I = 1.5 A  
¾
5
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
F
B
V
= 6 A, I = 1.5 A  
0.9  
1.3  
2
1.2  
1.8  
¾
¾
8
B
V
= 6 A  
V
F
f
V
V
= 10 V, I = 0.1 A  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
Storage time  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
180  
6
ob  
E
t
t
(1)  
stg  
I
f
= 6 A, I  
= 1.2 A,  
B1 (end)  
CP  
H
= 15.75 kHz  
Fall time  
Switching time  
t (1)  
0.3  
3.5  
0.2  
0.6  
5
f
ms  
Storage time  
(2)  
stg  
I
f
= 5.5 A, I  
= 1.1 A,  
CP  
H
B1 (end)  
= 31.5 kHz  
Fall time  
t (2)  
f
¾
0.35  
1
2001-11-27  
12345

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