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2SC5722

更新时间： 2024-02-14 19:30:48
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页数 文件大小 规格书
3页 52K
描述
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR

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2SC5722 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PBL
包装说明：TO-3PBL, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：4
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：140 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SC5722 数据手册

 浏览型号2SC5722的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5722的Datasheet PDF文件第3页 
注文コードNo.N 7 4 0 2  
NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ  
2SC5722  
超高精細度CRTディスプレイ水平偏向出力用  
特長  
・高速度である。  
・高耐圧である（V  
=1500V）。  
CBO  
・高信頼性である（HVP プロセス採用）。  
・M BIT プロセス採用。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
項目  
記号  
条件  
定格値  
1500  
unit  
V
コレクタ・ベース電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
エミッタ・ベース電圧  
コレクタ電流  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
800  
V
5
V
I
C
20  
A
コレクタ電流（パルス）  
I
CP  
40  
A
3.5  
140  
W
コレクタ損失  
P
C
Tc=25℃  
W
接合部温度  
Tj  
150  
℃
℃
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋150  
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
定格値  
項目  
記号  
条件  
unit  
m in  
typ  
m ax  
コレクタしゃ断電流  
コレクタしゃ断電流  
コレクタ維持電圧  
エミッタしゃ断電流  
I
V
V
=800V,I =0  
10 µA  
1.0 m A  
V
CBO  
CB  
CE  
E
I
CES  
=1500V,R =0  
BE  
V
(sus) I =100m A,I =0  
800  
CEO  
C
B
I
EBO  
V
=4V,I =0  
C
1.0 m A  
EB  
CE  
CE  
h
(1)  
V
V
=5V,I =1A  
C
15  
4
FE  
FE  
CE  
BE  
直流電流増幅率  
h
V
V
(2)  
=5V,I =16A  
C
7
コレクタ・エミッタ飽和電圧  
ベース・エミッタ飽和電圧  
蓄積時間  
(sat) I =14.4A,I =3.6A  
B
3
1.5  
3.0  
0.2  
V
C
(sat) I =14.4A,I =3.6A  
B
V
C
t
stg  
I =10A,I =2A,I =－4A  
C B1 B2  
µs  
µs  
下降時間  
t
f
I =10A,I =2A,I =－4A  
C B1 B2  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、  
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に  
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥  
について、弊社は責任を負いません。  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
O2203TS IM ◎佐藤TA-3625  
No.7402-1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5725 PANASONIC

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