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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5713
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2SC5713

更新时间： 2024-09-22 22:40:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 161K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

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2SC5713 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.55外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SC5713 数据手册

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2SC5713  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type  
2SC5713  
Industrial Applications  
Unit: mm  
High-Speed Switching Applications  
DC-DC Converter Applications  
Strobe Applications  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 400 to 1000 (I = 0.5 A)  
C
FE  
Low collector-emitter saturation voltage: V  
= 0.15 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 50 ns (typ.)  
f
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
20  
15  
10  
7
V
V
V
V
CBO  
V
CEX  
CEO  
EBO  
V
V
DC  
Collector current  
Pulse  
I
4
C
A
mA  
W
I
7
CP  
JEDEC  
JEITA  
―
Base current  
I
400  
1.0  
2.5  
150  
B
SC-62  
2-5K1A  
DC  
P
C
Collector power  
TOSHIBA  
dissipation  
(Note)  
t = 10 s  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Junction temperature  
T
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note: Mounted on FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:  
645 mm2)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
= 20 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
100  
100  
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 7 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= 10 mA, I = 0  
10  
400  
200  
C
B
h
h
(1)  
(2)  
V
V
= 2 V, I = 0.5 A  
1000  
FE  
CE  
CE  
C
DC current gain  
= 2 V, I = 1.6 A  
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
Rise time  
V
I
I
= 1.6 A, I = 32 mA  
0.15  
1.10  
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= 1.6 A, I = 32 mA  
B
C
V
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
28  
110  
150  
50  
pF  
ob  
CB  
E
t
See Figure 1 circuit diagram.  
r
∼
−
Switching time  
V
I
6 V, R = 3.75 Ω  
ns  
Storage time  
Fall time  
t
CC  
L
stg  
= −I = 53 mA  
t
f
B1  
B2  
1
2001-12-17  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5713(TE12L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,4A I(C),SC-62
2SC5713_06 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications
2SC5714 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5714(TE12L,F) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,4A I(C),SC-62
2SC5714_06 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5716 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5717 TOSHIBA

获取价格

 		Horizontal Deflection Output for Super High Resolution Display, Color TV, Digital TV. High
2SC5720 TOSHIBA

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 		MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS STOROBO FLASH APPLICATIONS
2SC5722 SANYO

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 		NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR
2SC5725 PANASONIC

获取价格

 		Silicon NPN epitaxial planar type

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