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2SC5712(TE12L,ZF)

更新时间： 2024-01-16 08:23:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 147K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SC5712(TE12L,ZF) 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SC5712(TE12L,ZF) 数据手册

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2SC5712  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type  
2SC5712  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
DC-DC Converter Applications  
DC-AC Converter Applications  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 400 to 1000 (I = 0.3 A)  
FE C  
Low collector-emitter saturation voltage: V  
= 0.14 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 120 ns (typ.)  
f
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
100  
80  
V
V
CBO  
V
CEX  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
50  
7
V
DC  
I
3.0  
C
A
JEDEC  
JEITA  
―
Pulse  
I
5.0  
CP  
SC-62  
2-5K1A  
Base current  
I
0.3  
A
B
DC  
P
1.0  
TOSHIBA  
C
Collector power  
dissipation  
W
(Note 1)  
t = 10 s  
2.5  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Junction temperature  
T
150  
−55 to 150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm2)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Start of commercial production  
2000-06  
1
2013-11-01  
12345

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与2SC5712(TE12L,ZF)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5712(TE12LF) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SC5712_06 TOSHIBA

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 		High-Speed Switching Applications
2SC5713 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5713(TE12L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,4A I(C),SC-62
2SC5713_06 TOSHIBA

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 		Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications
2SC5714 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5714(TE12L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,4A I(C),SC-62
2SC5714_06 TOSHIBA

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 		Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5716 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type
2SC5717 TOSHIBA

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 		Horizontal Deflection Output for Super High Resolution Display, Color TV, Digital TV. High

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