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2SC5465(2-7B1A)

更新时间： 2024-11-24 14:39:23

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	161K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 800 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC5465(2-7B1A) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.88
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	3500 ns	Base Number Matches：	1

2SC5465(2-7B1A) 数据手册

2SC5465

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type

2SC5465

Industrial Applications

Switching Regulator and High Voltage Switching

Applications

Unit: mm

High Speed DC-DC Converter Applications

•

Excellent switching times: t = 0.7 µs (max)

t = 0.5 µs (max) (I = 0.08 A)

High collector breakdown voltage: V

= 800 V

CEO

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

900

800

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

0.8

Collector current

Base current

Pulse

1.5

0.2

Ta = 25°C

Tc = 25°C

1.0

Collector power

dissipation

JEDEC

JEITA

―

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

TOSHIBA

2-7B1A

Weight: 0.36 g (typ.)

2005-02-01

12 3 4

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