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2SC5473(TENTATIVE)

更新时间： 2024-02-15 05:22:43

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描述
2SC5473 (Tentative) - NPN Transistor

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2SC5473(TENTATIVE) 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-82
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5473(TENTATIVE) 数据手册

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Transistor

2SC5473 (Tentative)

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-voltage low-noise high-frequency oscillation

Unit: mm

2.1±0.1

0.425

1.25±0.10

0.425

Features

High transition frequency f_T.

■

●

High gain of 8.9dB and low noise of 1.8dB at 3V.

●

Optimum for RF amplification of a portable telephone and

pager.

●

S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

0.2±0.1

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

1:Emitter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

2:Collector

3:Emitter

4:Base

EIAJ:SC–82

S-Mini Type Package

˚C

Marking symbol : 3A

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Forward current transfer ratio

Collector output capacitance

Transition frequency

Noise figure

V_CB= 9V, I_E= 0

I_EBO

h_FE

C_ob

f_T

V_EB= 1V, I_C= 0

µA

V_CE= 3V, I_C= 10mA

200

V_CB= 3V, I_E= 0, f = 1MHz

V_CE= 3V, I_C= 10mA, f = 2GHz

V_CE= 3V, I_C= 3mA, f = 1.5GHz

V_CE= 3V, I_C= 10mA, f = 2GHz

0.4

12.0

1.8

GHz

Foward transfer gain

| S_21e

8.9

12 3

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