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2SC5200C-O-AL-N-D

更新时间： 2022-02-26 09:38:54
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华微电子 - JSMC /
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8页 571K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Transistor

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2SC5200C-O-AL-N-D 数据手册

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R
2SC5200 SERIES  
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (2SC5200A curves)  
DC Current Gain  
Saturation Voltage  
1000  
100  
10  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
Common emitter  
IC/IB = 5  
Tc=100℃  
Single pulse test  
Tc=100℃  
Tc=25℃  
Tc=25℃  
Common emitter  
VCE = 5 V Single pulse test  
0.1  
1
10  
100  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
Collector corrent IC (A)  
Collector corrent IC (A)  
Base-Emitter Voltage  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
Tc=25℃  
Common emitter  
IC/IB = 5  
Tc=100℃  
Single pulse test  
0.1  
1
10  
100  
Collector corrent IC (A)  
Power Derating  
Safe Operating Area  
TC=25℃ DC Operation  
Infinite heat sink  
1ms  
10ms  
Single nonrepetitive pulse Tc = 25°C  
Curves must be derated linear  
with increase in temperature.  
100ms  
Ambient temperature TC（℃）  
Collector-emitter voltage VCE (V)  
版本：201603A  
4/8  
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