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2SC5200C-O-AL-N-D

更新时间: 2022-02-26 09:38:54
品牌 Logo 应用领域
华微电子 - JSMC /
页数 文件大小 规格书
8页 571K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Transistor

2SC5200C-O-AL-N-D 数据手册

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R
2SC5200 SERIES  
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25unless otherwise noted)  
Value  
单 位  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
-
A
B
C
集电极基极直流电压 Collector- Base Voltage  
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage  
发射极基极直流电压 Emitter-Base Voltage  
230 230 350 350  
230 230 250 250  
5
V
V
V
最大集电极电流  
最大基极电流  
Collector Current  
Base Current  
15  
15  
16  
16  
A
IB  
1.5  
120  
160  
1.6  
150  
200  
A
最大集电极耗散功率 TO-3PB Collector Dissipation(Tc=25) PC  
最大集电极耗散功率 TO-3PL Collector Dissipation(Tc=25) PC  
W
W
最高结温  
贮存温度  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
-65~150  
Tstg  
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC  
最小值 Value(min)  
最大值 Value(max)  
测试条件  
典型值  
单位  
Parameter  
Value(typ)  
Tests conditions  
Unit  
5200  
A
B
C
5200  
A
B
C
ICBO  
VCB=230(300)V,IE=0  
VEB=5V,IC=0  
-
-
-
-
-
5.0@230V 5.0@300V μA  
IEBO  
5.0  
-
mA  
V
V(BR)CEO  
Ic=50mA,IB=0  
230  
250  
75  
75  
75  
-
VCE=5V,IC=0.5A  
VCE=5V,IC=1.0A  
VCE=5V,IC=3.0A  
VCE=5V,IC=7.0A  
IC=5.0A,IB=0.5A  
IC=8.0A,IB=0.8A  
VCE=5V,IC=7.0A  
VCE=5V, Ic=1.0A  
VCE=10V, IE =0,f=1MHz  
-
-
160  
-
135  
135  
135  
80  
-
-
-
-
hFE  
35  
-
-
V
-
-
-
-
1.0  
-
VCE(sat)  
-
3.0  
V
VBE  
fT  
-
-
1.5  
V
10  
30  
10  
30  
-
-
MHz  
pF  
COb  
-
145  
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC  
最小值  
最大值  
单 位  
Parameter  
min  
max  
Symbo  
Unit  
2SC5200 2SC5200A  
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case TO-3PB  
Rth(j-c)  
-
-
1.042  
0.781  
/W  
/W  
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case TO-3PL(T) Rth(j-c)  
2SC5200B 2SC5200C  
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case TO-3PB  
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction Case TO-3PL(T)  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
-
-
0.83  
/W  
/W  
0.625  
版本:201603A  
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