2SC5200-O

更新时间： 2024-01-14 04:19:06

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
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4页	123K
描述
TRANSISTOR 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

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2SC5200-O 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.85
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	17 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5200-O 数据手册

2SC5200

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type

2SC5200

Power Amplifier Applications

Unit: mm

•

High breakdown voltage: V

= 230 V (min)

CEO

Complementary to 2SA1943

Suitable for use in 100-W high fidelity audio amplifier’s output stage

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

230

CBO

CEO

EBO

Base current

1.5

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

150

Junction temperature

Storage temperature range

150

°C

JEDEC

JEITA

―

stg

−55 to 150

TOSHIBA

2-21F1A

Electrical Characteristics

(Tc = 25°C)

Weight: 9.75 g (typ.)

Characteristics

Symbol

Test Condition

= 230 V, I = 0

Min

Typ.

Max

Unit

Collector cut-off current

―

5.0

―

µA

CBO

Emitter cut-off current

= 5 V, I = 0

EBO

Collector-emitter breakdown voltage

= 50 mA, I = 0

230

(BR) CEO

FE (1)

= 5 V, I = 1 A

―

160

DC current gain

(Note)

= 5 V, I = 7 A

―

0.4

1.0

―

3.0

1.5

―

FE (2)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

= 8 A, I = 0.8 A

CE (sat)

= 5 V, I = 7 A

Transition frequency

= 5 V, I = 1 A

MHz

Collector output capacitance

= 10 V, I = 0, f = 1 MHz

200

―

Note: h

FE (1)

classification R: 55 to 110, O: 80 to 160

2004-07-07

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC5200O(Q)	TOSHIBA	TRANSISTOR,BJT,NPN,230V V(BR)CEO,15A I(C),TO-247VAR	获取价格
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