Datasheet > 2SC5099O

2SC5099O

更新时间： 2024-10-14 14:46:23

品牌	Logo	应用领域
急速微 - ALLEGRO		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	24K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5099O 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5099O 数据手册

2 S C5 0 9 9

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1907)

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Electrical Characteristics

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions FM100(TO3PF)

■

(Ta=25°C)

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

2SC5099

Symbol

Conditions

Unit

2SC5099

Unit

µA

±0.2

5.5

±0.2

15.6

±0.2

3.45

120

I^CBO

V^CB=120V

10max

80min

IEBO

V^EB=6V

V(BR)CEO

hFE

I^C=50mA

±0.2

ø3.3

V^CE=4V, IC=2A

I^C=2A, IB=0.2A

V^CE=12V, IE=–0.5A

V^CB=10V, f=1MHz

50min

VCE(sat)

MHz

0.5max

20typ

60(Tc=25°C)

150

°C

COB

110typ

1.75

0.8

2.15

+0.2

Tstg

–55 to +150

hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)

1.05

-0.1

+0.2

±0.1

1.5

±0.1

0.65

-0.1

5.45

1.5

3.35

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

4.4

Weight : Approx 6.5g

a. Type No.

b. Lot No.

V^CC

(V)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

I^B1

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

R^L

(Ω)

I^B2

(A)

–5

0.3

0.16typ

2.60typ 0.34typ

–0.3

–

IC VCE Characteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

IC VBE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

30mA

20mA

I^B=10mA

IC=6A

0.5

Base Current I^B(A)

1.0

1.5

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base-Emittor Voltage VBE(V)

–

^j-at Characteristics

h^FEI^CCharacteristics (Typical)

h^FEI^CTemperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

300

100

200

125˚C

100

25˚C

Typ

–30˚C

0.5

0.3

0.02

100

Time t(ms)

1000 2000

0.5

Collector Current I^C(A)

0.1

0.5

5 6

0.02

0.1

5 6

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

1ms

10ms

Typ

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

3.5

0.1

–0.02

–0.1

–1

–6

100

125

150

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

Emitter Current I^E(A)

Ambient Temperature Ta(˚C)

125

中文翻译

下载PDF

与2SC5099O相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5099P	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC5099P	ISC	获取价格	Transistor
2SC5099Y	ALLEGRO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC5099Y	ISC	获取价格	Transistor
2SC509GTM	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-92
2SC509TM	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-92
2SC510	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-39
2SC5100	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SC5100	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC5100	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors

与2SC5099O相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

3
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

9
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

14
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5099O

2SC5099O 技术参数

2SC5099O 数据手册

与2SC5099O相关器件

与2SC5099O相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5099O

2SC5099O 技术参数

2SC5099O 数据手册

与2SC5099O相关器件

与2SC5099O相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？