5秒后页面跳转
2SC5098TE85R PDF预览

2SC5098TE85R

更新时间: 2024-10-14 14:46:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

2SC5098TE85R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.74
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.015 A
基于收集器的最大容量:0.85 pF集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):10000 MHz
Base Number Matches:1

2SC5098TE85R 数据手册

  

与2SC5098TE85R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5099 SANKEN

获取价格

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SC5099 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC5099 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC5099 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC5099 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 80V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
2SC5099_01 SANKEN

获取价格

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SC5099_15 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC5099_2015 JMNIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC5099O ALLEGRO

获取价格

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC5099P SANKEN

获取价格

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3