2SC5063

更新时间： 2024-11-05 22:52:43

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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3页	64K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC5063 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	25 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5063 数据手册

Power Transistors

2SC5063

Silicon NPN triple diffusion planar type

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

For high breakdown voltage high-speed switching

1.0±0.1

Features

High-speed switching

High collector to base voltage V_CBO

■

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

0.8±0.1

●

Wide area of safe operation (ASO)

2.54±0.3

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

5.08±0.5

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

1:Base

2:Collector

3:Emitter

N Type Package

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Unit: mm

3.4±0.3

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

8.5±0.2

6.0±0.3

1.0±0.1

Collector to base voltage

500

Collector to emitter voltage

400

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

R0.5

0.8±0.1

I_C

1.5

0.5

0 to 0.4

2.54±0.3

1.1 max.

5.08±0.5

Base current

I_B

Collector power T_C=25°C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

P_C

dissipation

Ta=25°C

1.3

N Type Package (DS)

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 500V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

I_EBO

V_CEO

h_FE1

h_FE2

Collector to emitter voltage

I_C= 10mA, I_B= 0

400

V_CE= 5V, I_C= 0.1A

Forward current transfer ratio

V_CE= 5V, I_C= 0.8A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 0.8A, I_B= 0.16A

V_CE= 10V, I_C= 0.2A, f = 10MHz

1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

MHz

µs

0.7

I_C= 0.8A, I_B1= 0.16A, I_B2= – 0.32A,

V_CC= 150V

µs

0.3

µs

12 3

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