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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SC5063(DS)
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2SC5063(DS)

更新时间： 2024-11-06 13:04:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
Transistor

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2SC5063(DS) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Base Number Matches：1

2SC5063(DS) 数据手册

 浏览型号2SC5063(DS)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5063(DS)的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SC5063  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
For high breakdown voltage high-speed switching  
1.0±0.1  
Features  
High-speed switching  
High collector to base voltage VCBO  
■
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
●
0.8±0.1  
●
Wide area of safe operation (ASO)  
2.54±0.3  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
5.08±0.5  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
N Type Package  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Unit: mm  
3.4±0.3  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
Collector to base voltage  
500  
500  
V
Collector to emitter voltage  
400  
V
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
7
V
3
A
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
IC  
1.5  
0.5  
A
0 to 0.4  
2.54±0.3  
1.1 max.  
5.08±0.5  
Base current  
IB  
A
Collector power TC=25°C  
25  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
PC  
W
1
2
3
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
N Type Package (DS)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
100  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 500V, IE = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
hFE2  
Collector to emitter voltage  
IC = 10mA, IB = 0  
400  
15  
8
VCE = 5V, IC = 0.1A  
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 0.8A  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 0.8A, IB = 0.16A  
IC = 0.8A, IB = 0.16A  
VCE = 10V, IC = 0.2A, f = 10MHz  
1
V
V
1.5  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
25  
MHz  
µs  
0.7  
2
IC = 0.8A, IB1 = 0.16A, IB2 = – 0.32A,  
VCC = 150V  
µs  
0.3  
µs  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5064 TOSHIBA

获取价格

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