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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5018
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2SC5018

更新时间： 2024-09-08 22:52:43
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松下 - PANASONIC 开关
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Silicon NPN triple diffusion planer type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC5018 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SC5018 数据手册

 浏览型号2SC5018的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SC5018  
Silicon NPN triple diffusion planer type  
For high breakdown voltage high-speed switching  
Unit: mm  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
6.9±0.1  
4.0  
(1.45)  
0.8  
0.7  
Features  
High collector to base voltage VCBO  
■
●
.
●
High emitter to base voltage VEBO  
.
0.65 max.  
0.45+–00..015  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
2.5±0.5 2.5±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1
2
3
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
500  
400  
V
7
V
Note: In addition to the  
lead type shown in  
1:Emitter  
2:Collector  
1.5  
A
the upper figure, the 3:Base  
IC  
0.8  
1
A
type as shown in  
the lower figure is  
also available.  
MT2 Type Package  
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
1.2±0.1  
0.65  
max.  
+
0.1  
0.45–0.05  
(HW type)  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
CB = 500V, IE = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
V
100  
100  
300  
IEBO  
hFE1  
hFE2  
VEB = 7V, IC = 0  
µA  
VCE = 5V, IC = 10mA  
50  
10  
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 300mA*1  
IC = 100mA, IB = 10mA*1  
IC = 100mA, IB = 10mA*1  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 10MHz  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
0.1  
0.8  
20  
0.5  
1.0  
V
V
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fill time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
MHz  
µs  
0.7  
4.0  
0.4  
IC = 200mA, IB1 = 40mA  
IB2 = –40mA, VCC = 150V  
µs  
µs  
*1 Pulse measurement  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5018-HW PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5018-SZ PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5019 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification)
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