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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC495 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-126VAR |
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| 2SC4953 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching) |
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| 2SC4954 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC4954-T1 | NEC |
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HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC4954-T1FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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| 2SC4954-T1-FB | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4954-T1T82 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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| 2SC4954-T1-T82 | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4954-T2 | NEC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
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| 2SC4954-T2FB | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD |
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