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2SC4953

更新时间： 2024-09-22 22:52:43

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松下 - PANASONIC		开关
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2页	45K
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Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC4953 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.81
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4953 数据手册

Power Transistors

2SC4953

Silicon NPN triple diffusion planar type

For high breakdown voltage high-speed switching

Unit: mm

4.6±0.2

Features

High-speed switching

9.9±0.3

■

2.9±0.2

●

High collector to base voltage V_CBO

φ3.2±0.1

●

Wide area of safe operation (ASO)

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

●

Dielectric breakdown voltage of the package: > 5kV

1.4±0.2

2.6±0.1

1.6±0.2

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

0.8±0.1

0.55±0.15

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

2.54±0.3

5.08±0.5

Collector to base voltage

500

Collector to emitter voltage

400

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

TO–220D Full Pack Package

I_C

1.2

Base current

I_B

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 500V, I_E= 0

V_EB= 5V, I_C= 0

_C= 10mA, I_B= 0

I_EBO

V_CEO

h_FE1

h_FE2

Collector to emitter voltage

400

V_CE= 5V, I_C= 0.1A

V_CE= 2V, I_C= 1.2A

Forward current transfer ratio

1.0

1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

_C= 1.5A, I_B= 0.3A

I_C= 1.5A, I_B= 0.3A

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10V, I_C= 0.2A, f = 1MHz

MHz

µs

1.0

3.0

0.3

I_C= 1.5A, I_B1= 0.15A, I_B2= – 0.3A,

V_CC= 200V

µs

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2SC4953 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC4533	PANASONIC	类似代替	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)

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2SC4954-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD
2SC4954-T1-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4954-T1T82	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
2SC4954-T1-T82	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC4954-T82	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD

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