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2SC4944-GR

更新时间： 2024-02-14 07:09:37

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	212K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USV, 2-2L1A, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC4944-GR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.47	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
基于收集器的最大容量：	3.5 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

2SC4944-GR 数据手册

2SC4944

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

2SC4944

Audio Frequency General Purpose Amplefier Applications

Unit: mm

•

Small package (dual type)

High voltage and high current: V

= 50 V, I = 150 mA (max)

CEO

High h : h

= 120~400

linearity: h

FE FE

Excellent h

(I = 0.1 mA)/h

(I = 2 mA) = 0.95 (typ.)

FE C

Complementary to 2SA1873

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

150

Base current

JEDEC

JEITA

―

Collector power dissipation

200

(Note 1)

Junction temperature

125

°C

TOSHIBA

2-2L1A

Storage temperature range

stg

−55~125

Weight: 6.2 mg (typ.)

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of

high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to

decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating

temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

Marking

Equivalent Circuit (top view)

2007-11-01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4944GRTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
2SC4944Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 150MA I(C) \| TSOP
2SC4944-Y	TOSHIBA	获取价格	Audio Frequency General Purpose Amplefier Applications
2SC4944-Y(T5LNSEIF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
2SC4944-Y(T5RMAA,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
2SC4944YTE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
2SC495	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-126VAR
2SC4953	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC4954	NEC	获取价格	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
2SC4954-T1	NEC	获取价格	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

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