5秒后页面跳转
2SC4624 PDF预览

2SC4624

更新时间: 2024-11-05 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 178K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

2SC4624 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:16 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F6元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:110 W最大功率耗散 (Abs):110 W
最小功率增益 (Gp):4.7 dB认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC4624 数据手册

 浏览型号2SC4624的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4624的Datasheet PDF文件第3页 

与2SC4624相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC4626 PANASONIC

获取价格

Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SC4626B ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-75
2SC4626C ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-75
2SC4626GB PANASONIC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4626J PANASONIC

获取价格

For High-Frequency Amplification
2SC4626JB PANASONIC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4626JC PANASONIC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC4626TX PANASONIC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC4627 PANASONIC

获取价格

Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SC4627B ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 15MA I(C) | SOT-416