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2SC4627GC

更新时间： 2024-11-06 20:02:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 228K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.015A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SC4627GC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.015 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：650 MHzBase Number Matches：1

2SC4627GC 数据手册

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Transistors  
2SC4627  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For high-frequency amplification  
Unit: mm  
+0.1  
+0.1  
0.2  
0.15  
–0.05  
–0.05  
■ Features  
3
• Optimum for RF amplification of FM/AM radios  
• High frequency voltage fT  
• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipmenand  
automatic insertion through the tape packing.  
(0.5)  
1.0 0
1.6 0
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 2°C  
5˚  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VEO  
Emitter-base voltage (CollectoVEBO  
30  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
20  
V
3
5  
EIAJ: SC-75  
Collector current  
IC  
PC  
Tj  
mA  
mW  
°C  
°C  
SSMini3-G1 Package  
Collector power dissipation  
Junction temperatre  
Storage temperate  
25  
Marking Symbol: U  
125  
T
−5 to +125  
■ Electal Characteristics T= 25°C 3°C  
Paramer  
Symbo
VCBO  
VEBO  
VBE  
Conditions  
Min  
30  
3
Typ  
Max  
Unit  
V
llector-ase voltge (Emitteopen)  
Emige (Cllector open)  
Base  
IC = 10 µA, IE = 0  
IE = 10 µA, IC =
V
VCB = 6 V, IE = −1 mA  
0.72  
V
Forward ansfer ratio *  
Transition frquency  
hFE  
VCB = 6 V, IE = −1 mA  
40  
260  
1
fT  
VCB = 6 V, IE = −1 mA, f = 200 MHz  
VCB = 6 V, IE = −1 mA, f = 10.7 MHz  
450  
650  
0.8  
MHz  
pF  
Common-emitter reverse transfer  
capacitance  
Cre  
Noise figure  
Power gain  
NF  
GP  
VCB = 6 V, IE = −1 mA, f = 100 MHz  
VCB = 6 V, IE = −1 mA, f = 100 MHz  
3.3  
24  
dB  
dB  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
B
C
D
hFE  
40 to 110  
65 to 160  
100 to 260  
Publication date: January 2003  
SJC00162BED  
1
1234

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