Datasheet > 2SC4615

2SC4615

更新时间： 2024-02-28 02:43:10

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	45K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC4615 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.47	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	Base Number Matches：	1

2SC4615 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor

2SC4615

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

Large current calcity (IC=1A)

High blocking voltage(VCEO 400V)

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^CP

Rating

400

Unit

I^C

Collector power dissipation

TC=25

T^j

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

中文翻译

下载PDF

与2SC4615相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC4615C(TP-FA)	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252VAR	获取价格
2SC4615CTP-FA	ONSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP-FA, 4	获取价格
2SC4615D(TP)	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1A I(C),TO-251VAR	获取价格
2SC4615D(TP-FA)	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252VAR	获取价格
2SC4615E(TP)	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1A I(C),TO-251VAR	获取价格
2SC4615ETP	ONSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PI	获取价格