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2SC4597

更新时间： 2024-01-03 07:32:01

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2页	74K
描述
Surface mount type device making the following possible. Adoption of MBIT process.

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2SC4597 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.2	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	40 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	最大关闭时间（toff）：	2800 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	VCEsat-Max：	0.8 V
Base Number Matches：	1

2SC4597 数据手册

SMD Type

Transistors

Product specification

2SC4597

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Symbol

I^CBO

Testconditons

V^CB= 400 V, I^E= 0

Min

Typ

Max

Unit

ìA

I^EBO

V^EB= 5 V, I^C= 0

ìA

V^CE= 5 V, I^C= 0.4A

V^CE= 5 V, I^C= 2A

V^CE= 5 V, I^C=10mA

V^CE= 10 V, IC =0.4A

V^CB=10V,f=1MHz

I^C= 2 A, I^B= 0.4 A

DC current gain

h^FE

Gain-Bandwidth product

Output Capacitance

MHz

Cob

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

Collector-to-Emitter Sustain Voltage

Turn-ON time

V^{CE (sat)}

V^{BE (sat)}

0.8

1.5

V ^{(BR) CBO}I^C= 1 mA, I^E= 0

500

400

V ^{(BR) CEO}

V^(BR)EBO

I^C= 5 mA,RBE=

I^E=1mA,I^C=0

V^CEX(SUS)I^C=2A,I^B1=0.2A,L=1mH,I^B2=-0.8A

400

ton

0.5

2.5

0.3

I^C=3A,I^B1=0.6A,I^B2=-1.2A,R^L=66.6

ìs

Storage time

t^stg

Ù,V^CC=200V

Fall time

Switching Time Test Circuit

hFE Classification

Rank

hFE

15 to 30

20 to 40

30 to 50

http://www.twtysemi.com

2 of 2

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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