2SC4369Y

更新时间： 2024-01-30 02:44:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Transistor

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2SC4369Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SC4369Y 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4369

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CEsat

V_BE

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=10mA ; I_B=0

I_C=2A ;I_B=0.2A

I_C=0.5A ; V_CE=2V

V_CB=20V; I_E=0

0.8

1.0

240

I_CBO

μA

I_EBO

V_EB=5V; I_C=0

h_FE-1

DC current gain

I_C=0.5A ; V_CE=2V

I_C=2.5A ; V_CE=2V

I_C=0.5A ; V_CE=2V

h_FE-2

DC current gain

f_T

Transition frequency

100

MHz

h_FE-1Classifications

70-140

120-240

123

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